金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，上海澜芯半导体有限公司申请一项名为“具有BSG侧壁的沟槽超结MOSFET的结构及工艺方法”的专利，公开号CN 119743991 A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种具有BSG侧壁的沟槽超结MOSFET的原胞结构及工艺方法，结合了沟槽和超级结SiC MOSFET原胞结构的优势，极大的降低了SiC MOSFET单位面积比导通电阻(RSPA)。器件的沟槽包含有BSG侧壁，沟槽下方为超结结构的P柱，在过渡区和Gate Bus区域，由于没有JFET注入，可以实现超结P柱通过侧壁P型掺杂和P阱掺杂连接到一起，实现超结P柱和源极电位连接，这样可以极大的优化本发明SiC MOSFET体二极管的反向恢复特性。利用本发明的结构及工艺，可以在统一的SiC工艺平台下生产600～10000V以上MOSFET器件，极大的优化了MOSFET的性能，降低了不同电压SiC MOSFET工艺需要单独开发的成本问题。

天眼查资料显示，上海澜芯半导体有限公司，成立于2022年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币，实缴资本3000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海澜芯半导体有限公司财产线索方面有商标信息7条，专利信息10条，此外企业还拥有行政许可1个。

本文源自金融界