首页 家电百科 实时讯息 常识
您的位置： 首页 > 本发明 >
上海澜芯申请具有BSG侧壁的沟槽超结MOSFET的结构及工艺方法专利，极大的优化本发明SiC MOSFET体二极管的反向恢复特性
2025-04-02 18:23:00