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上海澜芯申请具有BSG侧壁的沟槽超结MOSFET的结构及工艺方法专利，极大的优化本发明SiC MOSFET体二极管的反向恢复特性
2025-04-02 18:23:00
哪里打大架号
2025-01-16 12:48:05